BiCMOS integrated circuits; Ge-Si alloys; low-power electronics; wideband amplifiers; 0.18 micron; 12.5 Gbit/s; 13 GHz; 3.3 V; 30 mA; 60 dB; 80 GHz; BiCMOS process; Miller multiplication effect; SONET; SiGe; active offset cancellation loop; cascoded differential stages;
机译:使用自举光电二极管电容中和和垂直阈值的A 54 dB $ Omega $ + 42 dB 10 Gb / s SiGe跨阻限幅放大器的通知A
机译:违反IEEE出版原则的通知低参考杂散使用完全采样前馈环路滤波器架构的1-5 GHz 0.13美元/μmCMOS频率合成器
机译:违反IEEE发布原则的通知使用偏置电流调制消除的3.3 V 12.5 Gb / s 0.2μmSiGe BiCMOS激光二极管驱动器
机译:违反IEEE发布原则
使用前馈可调节阈值信号丢失检测器的低功耗12.5Gb / s SiGe限幅放大器的通知
机译:违反IEEE出版物原则的通知:基于图像处理和3D空间匹配的运动排球跟踪技术研究