CMOS integrated circuits; UHF amplifiers; UHF integrated circuits; integrated circuit testing; low noise amplifiers; 0.35 microns; 2.4 GHz; CMOS LNA; RF characterization; electrical characteristics; frequency characterization; low noise amplifier; thermal testing;
机译:MOST中度-弱反转区域是CMOS 2.4 GHz CS-LNA的最佳设计区域
机译:2.4 GHz LNA的轻掺杂和重掺杂CMOS工艺中基板噪声耦合的比较
机译:使用250nm Cmos技术在PLL系统中实现1.8 Ghz-2.4 Ghz完全可编程分频器和双模预分频器,以在PLL系统中实现高速频率工作
机译:通过热测量对2.4 GHz CMOS LNA进行频率表征
机译:使用45 nm技术设计用于蓝牙低功耗应用的2.4 GHz CMOS LNA。
机译:在2.4 GHz频段上的人体天线设计和有源特性方面的经验教训
机译:MOST中微弱反转区域是CMOS 2.4 GHz CS-LNA的最佳设计区域
机译:用于无线数据链路收发器的2.4 GHz CmOs直接转换LNa和混频器组合设计