BiCMOS integrated circuits; Ge-Si alloys; MIMIC; low noise amplifiers; millimetre wave amplifiers; phased array radar; 1.36 dB; 10 GHz; 15 mW; 2.5 V; 200 GHz; 8.5 to 10.5 GHz; BiCMOS technology; SiGe; low noise amplifiers; monolithically integrated phased array radar; t;
机译:用于相控阵雷达应用的X波段SiGe双互补金属氧化物半导体发射/接收模块核心芯片
机译:X波段有源阵列雷达的发射/接收模块技术
机译:X和K频段SiGe HBT LNA具有1.2dB和2.2dB的平均噪声系数
机译:单片相控阵发射/接收雷达模块的平均噪声系数为1.36 dB的X波段SiGe LNA
机译:使用10至35 GHz六通道微带多路复用器的超宽带发射/接收模块及其在相控阵天线收发器系统中的应用。
机译:在8通道发送/接收阵列中以1.5、3、7、10.5和14特斯拉对人脑成像的图像均质性信噪比和比吸收率的数值评估
机译:在65-NM CMOS技术中全X波段相控阵传输/接收模块芯片
机译:mmIC(单片微波集成电路)T / R(发送/接收模块阵列)的简化馈源架构分析