首页> 外文会议>Power electronics technology exhibition conference >FIGURES OF MERIT FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHES
【24h】

FIGURES OF MERIT FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHES

机译:高频开关的优点

获取原文

摘要

Defining and evaluating MOSFETs for power switchand rectifier applications can be facilitated by definingand identifying a figure of merit (FOM) for theapplication in question. The figure of merit useddepends entirely on the topology, and circuitconditions. For each MOSFET function in everyswitching regulator topology, a unique figure of meritcan be developed. Some examples used by the writersare provided herein in an effort to provide insight intothe switching processes involved when a powerMOSFET is turned on and off at very high frequencies.
机译:定义和评估电源开关的MOSFET 通过定义可以促进整流器应用程序 并识别绩效(FOM)的数字 有问题的应用程序。使用的优点 完全取决于拓扑和电路 情况。对于每个MOSFET功能 切换稳压器拓扑,一个独特的优点 可以开发。作者使用的一些例子 本文提供了洞察力的努力 电源时涉及的切换过程 MOSFET在非常高的频率下打开和关闭。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号