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A figure of merit for the high-frequency noise behavior of bipolar transistors

机译：双极晶体管高频噪声行为的优点。

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L.C.N. de Vreede; H.C. de Graaff; G.A.M. Hurkx; J.L. Tauritz; R.G.F. Baets;
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年度 1994
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1. A figure of merit for the high-frequency noise behavior of bipolar transistors [J] . de Vreede L.C.N., de Graaff H.C. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 1994,第10期

机译：双极晶体管的高频噪声行为的品质因数
2. A scalable high-frequency noise model for bipolar transistors with application to optimal transistor sizing for low-noise amplifier design [J] . Voinigescu S.P., Maliepaard M.C. IEEE Journal of Solid-State Circuits . 1997,第9期

机译：可扩展的双极晶体管高频噪声模型，并应用于低噪声放大器设计的最佳晶体管尺寸
3. An insulated gate bipolar transistor with three-layer poly gate for improved figure of merit [J] . Namrata Gupta, Sarita Singh, Alok Naugarhiya Journal of materials science . 2020,第18期

机译：具有三层多栅极的绝缘栅双极晶体管，用于改进的优点
4. A figure of merit for the high-frequency noise behaviour of bipolar transistors [C] . de Graaff, H.C., de Vreede, . 1993

机译：双极晶体管的高频噪声行为的品质因数
5. InP-based NPN and PNP heterojunction bipolar transistor design, technology, and characterization for enhanced high-frequency power amplification. [D] . Sawdai, Donald James. 1999

机译：基于InP的NPN和PNP异质结双极晶体管的设计，技术和特性，可增强高频功率放大。
6. Impact of prone supine and oblique patient positioning on CBCT image quality contrast-to-noise ratio and figure of merit value in the maxillofacial region [O] . Juha Koivisto, Maureen van Eijnatten, Jorma Järnstedt, 2017

机译：俯卧仰卧和斜位患者位置对颌面部CBCT图像质量对比度噪声比和优点值的影响
7. Comparative Analysis of Different Figures of Merit for AlGaN/GaN and Si Surrounding-Gate Field Effect Transistors (SG-FETs) [O] . Yogesh Kumar Verma, Varun Mishra, Manoj Singh Adhikari, 2021

机译：AlGaN / GaN和Si周围栅极场效应晶体管（SG-FET）不同图格的比较分析
8. DETERMINATION OF TRANSISTOR FIGURE-OF-MERIT FOR RADIATION EFFECTS. [R] . perkins, c. w. thomas, g. d. 1965

机译：确定用于辐射效应的晶体管的优质图。

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