机译:NO和Ar退火N型4H-SiC MOS电容器中慢态附近界面空穴陷阱的紫外光比较研究
机译:SiC MOS电容器中近界面氧化物陷阱的等离子体钝化和电压稳定性
机译:近界面氧化阱的等离子体钝化和SiC MOS电容器中的电压稳定性
机译:在采用RF等离子蚀刻的MOS电容器中创建慢陷阱
机译:金属氧化物半导体电容器中电子束感应电流的俘获电荷界面调制。
机译:碳纳米管微电极的O2等离子蚀刻和抗静电枪表面改性可提高灵敏度和防污性能
机译:Al2O3 / AlGaN / GaN结构中的界面陷阱态是通过感应耦合等离子体蚀刻AlGaN表面引起的