power integrated circuits; controllers; mobile radio; indium compounds; gallium arsenide; heterojunction bipolar transistors; MMIC power amplifiers; MMIC amplifier; on-chip dynamic bias controller; WCDMA; mobile communication; InGaP/GaAs HBT; dual power stages; heterojunction bipolar transistor; monolithic microwave integrated circuit; wideband code-division multiple access; smart power amplifier; 23.9 dB; 40.8 percent; InGaP-GaAs;
机译:用于W-CDMA手机的具有片上偏置电流控制电路的MMIC功率放大器
机译:具有片上有源栅极偏置电路的Ku波段功率放大器MMIC芯片组
机译:具有片上有源栅极偏置电路的Ku波段功率放大器MMIC芯片组
机译:具有片上动态偏置控制器的MMIC智能功率放大器,用于WCDMA移动通信
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:集成新型模拟预失真线性化器的宽带LTE功率放大器用于移动无线通信
机译:用于无线通信的单片技术的演变:用于微波无线电的GaN mmIC功率放大器
机译:用于卫星通信应用的K波段功率嵌入式传输线(ETL)mmIC放大器