gallium arsenide; aluminium compounds; III-V semiconductors; semiconductor superlattices; submillimetre waves; signal generators; submillimetre wave generation; frequency multipliers; microwave frequency convertors; temperature dependence; radiation power emission; high frequency electric field; terahertz frequency range emission; GaAs/AlAs superlattice; nonbiased superlattice; output signal power spectrum; harmonic content; microwave frequency convertors; frequency multipliers; 4 to 300 K; 20 GHz; GaAs-AlAs;
机译:内置电场对InP / GaAs II型超晶格跃迁能的温度依赖性的影响
机译:顺序隧道掺杂超晶格中电流自激振荡和电场域的温度依赖性-art。没有。 115311
机译:顺序隧道掺杂超晶格中电流自激振荡和电场域的温度依赖性-art。没有。 115311
机译:超晶格发出的辐射功率对高频电场产生的温度依赖性
机译:在强度辐射场中的蓝宝石光纤性能表征,受到非常高的温度
机译:在低于零温度的高频电场中红细胞的变形性和稳定性。
机译:电流自振荡和电场的温度依赖性 连续隧道掺杂超晶格中的畴