indium compounds; III-V semiconductors; zinc; diffusion; semiconductor doping; annealing; electron-hole recombination; minority carriers; dark conductivity; p-i-n photodiodes; optoelectronic/microwave devices; InP:Zn layers; Zn diffusion; nitrogen/hy;
机译:基于1D Zigzag配位聚合物的合成,用于制造光电器件,具有显着高的光敏性
机译:使用异质结双极晶体管和折射-Facet光电二极管的共享层集成制造基于InP的光电集成电路(OEIC)光接收器
机译:线聚焦束超声材料表征系统评估LiTaO {sub} 3光电器件中的质子交换和退火层
机译:用于光电和微波器件的INP的制造与表征:Zn层
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:纳米晶体的制作硅薄膜用于通过热真空蒸发制备的光电器件
机译:基于分子束外延的基于III-V族材料的红外应用光电器件的制备与表征
机译:先进的加工和表征技术。半导体光电器件和集成电路的制造和表征于1991年5月8日至10日在佛罗里达州克利尔沃特举行。美国真空学会系列10