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Plasma-charging damage and ESD, help each other?

机译:等离子充电损坏和ESD是否互相帮助?

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摘要

ESD and plasma-charging damage are different modes of electrical stress that degrade integrated circuits. They are quite different and yet share many similarities. As integrated circuit technology continue to progress, both face the challenge of how to protect the ultra-thin gate-oxide. This paper discusses the common problem shared by both communities.
机译:ESD和等离子充电损坏是使集成电路退化的不同模式的电应力。它们是完全不同的,但是具有许多相似之处。随着集成电路技术的不断发展,两者都面临着如何保护超薄栅极氧化物的挑战。本文讨论了两个社区共同面临的共同问题。

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