机译:Cu / Poly-Si镶嵌栅极结构MOSFET带TA和TAN堆叠屏障
机译:Cu / Poly-Si镶嵌栅极结构MOSFET带TA和TAN堆叠屏障
机译:Cu / Poly-Si镶嵌栅极结构MOSFET带TA和TAN堆叠屏障
机译:Cu / Poly-Si镶嵌栅极结构MOSFET带TA和TAN堆叠屏障
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:通过扫描光学扫描显微镜通过扫描高k栅极堆叠结构的多Si栅极纳米规模特征