机译:0.18- / splμ/ m CMOS逻辑器件技术的RF电位
机译:具有经济效益的嵌入式DRAM集成,可使用0.15 / spl mu / m技术节点及更高版本实现高密度存储器和高性能逻辑
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS技术的模拟I / O单元的ESD失效机制
机译:高性能0.18- / SPL MU / M合并的DRAM /逻辑技术,具有0.45- / SPL MU / M / SUP 2 /堆叠电容器单元
机译:设计融合磁性和荧光特征的3D间充质干细胞片:当细胞片技术满足图像指导的细胞疗法时
机译:采用0.18- / spl mu / m CMOS的5.2-GHz RF功率采集器,用于植入式眼压监测