首页> 外文会议>HF Radio Systems and Techniques, 1991., Fifth International Conference on >Design of low-distortion HF transmitter with power MOSFETs
【24h】

Design of low-distortion HF transmitter with power MOSFETs

机译:具有功率MOSFET的低失真HF发射机的设计

获取原文

摘要

A 2-kW, 3-kW, 5-kW and 10-kW HF transmitter has been developed using the newest power MOSFETs in its final device and a single-ended push-pull (SEPP) circuit. The transmitter combines the output powers from a plurality of power amplifier (PA) modules to obtain a low-distortion output power.
机译:已经开发了一种2 kW,3 kW,5 kW和10 kW的HF发射机,在其最终器件中使用了最新的功率MOSFET和单端推挽(SEPP)电路。发射机组合来自多个功率放大器(PA)模块的输出功率,以获得低失真的输出功率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号