机译:与GaN HFET相比,GaN MOSFET的基本设计优势在于功率应用
机译:利用数字预失真和动态电流偏置技术的超声发射器集成高压低失真电流反馈线性功率放大器
机译:通过谐波平衡器件仿真设计的,具有优化的沟道-漏极结施主浓度分布的低失真MOSFET
机译:电源MOSFET的低失真HF发射器设计
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:用于汽车压力和温度复合传感器的信号调理IC中采用180 Nm CMOS技术的低功耗小面积符合AEC-Q100标准的SENT发送器的设计
机译:采用SiC功率MOSFET和定制散热设计的稳健的无缓冲软开关功率转换器