Oscillators; Power generation; CMOS technology; Transistors; Capacitors; Inductors; Logic gates;
机译:一个234-261-GHz 55-nm SiGe BiCMOS信号源,具有5.4-7.2 dBm的输出功率,1.3%的DC-RF效率和1GHz的分频输出
机译:19.5%效率51-73-GHz高输出功率倍增65-NM CMOS
机译:采用65nm CMOS技术的300GHz基本振荡器
机译:310GHz基本振荡器,输出功率0.4-MW输出功率和3.2%的直流至RF效率在65纳米CMOS中
机译:采用0.5 um CMOS工艺技术的具有高功率效率和低输出纹波噪声的电荷泵架构。
机译:用于无线传感器节点的低功耗全数字片上CMOS振荡器
机译:采用65nm CMOS技术的300GHz基本振荡器1