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A 22-40.5 GHz UWB LNA Design in 0.15um GaAs

机译:0.15um GaAs的22-40.5 GHz UWB LNA设计

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摘要

This paper presents an ultra-wide-band low-noise amplifier (UBW LNA) design for 5G communication and other millimeter-wave applications. In the proposed LNA design, the common source stage with inductive degeneration is used for a better input matching, and the Pi network is used for the ultra-wide-band matching. The proposed UBW LNA is demonstrated using 0.15 um GaAs process. According to the post-layout simulations, the LNA operates from 22 GHz to 40.5 GHz, and a maximum gain of 20 dB and minimum noise figure of 3.4 dB are achieved. The LNA achieves a 59% -3 dB and a 48% -1 dB small-signal S21 bandwidth.
机译:本文提出了一种适用于5G通信和其他毫米波应用的超宽带低噪声放大器(UBW LNA)设计。在提出的LNA设计中,具有电感性退化的共源级用于更好的输入匹配,而Pi网络用于超宽带匹配。使用0.15 um GaAs工艺演示了拟议的UBW LNA。根据布局后的仿真,LNA的工作频率为22 GHz至40.5 GHz,最大增益为20 dB,最小噪声系数为3.4 dB。 LNA实现59%-3 dB和48%-1 dB小信号S 21 带宽。

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