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Comprehensive Study and Noise Analysis of GeSn-based p-n-p Heterojunction Phototransistors for Efficient Detection

机译:基于GeSn的p-n-p异质结光电晶体管的高效研究与噪声分析

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摘要

This work presents analytical study of gain, noise behaviour, absorption coefficient and optical responsivity of Ge1-xSnx-based p-n-p Heterojunction Photo-Transistor. Estimated results ensure that HPTs can be used as an alternative of existing III-V based photodetectors.
机译:这项工作提出了锗的增益,噪声行为,吸收系数和光学响应性的分析研究。 1-x x 的p-n-p异质结光电晶体管。估计结果确保HPT可以用作现有基于III-V的光电探测器的替代产品。

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