Gallium nitride; Substrates; Epitaxial growth; Lighting; Photoluminescence; X-ray diffraction;
机译:GaN基体中具有超薄InN阱的InN / GaN MQW的新型结构发光装置的建议
机译:通过迁移增强余辉技术从富In条件下生长的InN纳米柱
机译:InN / AlN / Si(111)异质结构的势垒高度和自供电红外光响应的双高斯分布
机译:Inn Nanopillar设备,具有强烈的光响应
机译:纳米结构半导体器件中局部光响应的测量和建模。
机译:InN纳米棒/ Si异质结的传输和红外光响应特性
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