FinFETs; Logic gates; Leakage currents; Performance evaluation; Voltage measurement;
机译:考虑栅极感应的漏极泄漏(GIDL)的低待机功耗(LSTP)操作的32 nm技术节点上的SOI FinFET设计
机译:具有和不具有DTMOS操作的三栅极大容量FinFET的行为
机译:使用N沟道MOSFET中的GIDL电流模型表征由栅极到漏极重叠区域中的应力产生的缺陷密度
机译:N沟道散装和DTMOS FinFET:GIDL和闸门漏电流的调查
机译:体和SOI FinFET中的辐射引起的单事件瞬变(SET)效应以及与体CMOS的鲁棒性比较。
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:采用不同技术制备的栅极电介质的N沟道mOsFET中的断态栅极漏电流