Stress; Annealing; Logic gates; Thin film transistors; Adsorption; Hall effect; Charge carrier processes;
机译:正偏压温度应力下通孔型非晶态In-Ga-Zn-O薄膜晶体管异常驼峰现象的研究
机译:正栅极偏置温度应力下,无定形IN-ZN-O薄膜晶体管中的异常双驼峰现象
机译:具有低温Al_2O_3栅极电介质的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的正偏应力不稳定性
机译:在正偏压温度胁迫下,在-Ga-Zn-O薄膜晶体管中制造AP-PECVD的微波辅助退火研究
机译:氧化锌纳米粒子墨水的瞬态激光退火以制造氧化锌薄膜晶体管
机译:具有固溶处理的金属氧化物半导体和介电膜的可穿戴式1 V工作薄膜晶体管通过低温深紫外光退火在低温下制成
机译:出版商的注意事项:“界面过量氧对自排列共青薄膜薄膜晶体管的正偏压稳定性的影响”苹果酱。物理。吧。 108,141604(2016)