SiGe BiCMOS; VCO; millimeter-wave integrated circuits;
机译:在130nm SiGe BiCMOS中具有$-$ 7-dBm输出功率的200GHz电感调谐VCO
机译:具有0.13 m SiGe BiCMOS技术的2频段增益和7.7 dBm输出功率的D波段共源共栅放大器
机译:具有24.3 DB增益的D波段共级放大器和0.13米SiGe BICMOS技术的7.7 dBm输出功率
机译:一个110 ??? 132GHz VCO,带1.5dBm峰值输出功率和18.2%的18.2%调谐范围为D波段发射器的130nm SiGe BICMOS
机译:A 200-GHz电感调谐VCO $ - $ 7-DBM SIGE BICMOS中的$ 7-DBM输出功率