机译:自对准垂直双栅Mosfet(vdgm)和倾斜旋转离子注入(ORI)方法
机译:立柱厚度变化对基于倾斜旋转注入(ORI)的垂直双栅MOSFET的影响研究
机译:利用硅厚度相关的形变势分析(100)取向单栅和双栅n-MOSFET的应力诱导迁移率增强
机译:具有斜旋转植入(ORI)法的垂直双闸MOSFET(VDGM)硅柱厚度效应
机译:结合了硅锗异质结的垂直环绕栅MOSFET。
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:具有倾斜旋转离子注入(ORI)方法的自对准垂直双栅MOSFET(VDGM)
机译:具有空气/半导体反射镜的长波长垂直腔体激光器:用于硅mOsFET的纳米级栅极技术