Cadmium compounds; DH-HEMTs; II-VI semiconductor materials; Photoluminescence; Radiative recombination; Substrates; II-VI semiconductor materials; Lifetime estimation; Photoluminescence; Semiconductor epitaxial layers;
机译:CdSeTe / CdMgTe双异质结构中影响光致发光和光载流子寿命的因素
机译:使用时间分辨光致发光在长波红外II型超晶格中直接进行少数载流子寿命测量和重组机理
机译:使用时间分辨光致发光在长波红外II型超晶格中直接进行少数载流子寿命测量和重组机理
机译:使用光致发光强度和共聚焦光致发光显微镜的CDMGTE / CDTEESE异质结构重组研究
机译:钼二硫膜膜和异质结构的制造,光致发光和电测量
机译:联系测量的双极有机场效应晶体管的电阻通过共焦光致发光电调制显微镜
机译:WS2-WSE2横向异质结构单层晶体中的深度 - 亚微米共聚焦光致发光光谱和边缘重组