Ⅲ-Ⅴ Semiconductors; Epitaxy; Gallium Arsenide Based cells; Multijunction Subcell; Quantum Well;
机译:使用InGaAs / GaAsP量子阱将吸收阈值扩展至1.15eV,适用于效率超过50%的晶格匹配四结太阳能电池
机译:勘误表“ InGaAs / GaAsP多量子阱太阳能电池中有效吸收光和载流子的高纵横比结构” [4月13 859-867]
机译:InGaAs / GaAsP多量子阱太阳能电池中高效率吸收和载流子传输的高纵横比结构
机译:使用InGaAs / GaASP量子孔延伸到1.15eV的吸收阈值,用于超过50%效率的晶格匹配的四边形太阳能电池
机译:通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱,改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:使用InGaas / Gaasp量子阱将吸收阈值扩展到1.15eV,超过50%的晶格匹配四结太阳能电池