Abstracts; Clamps; Educational institutions; Electrostatic discharges; Integrated circuits; Resistors; Stress; ESD protection; HBM; LNA; PI network; RF circuit;
机译:低功耗,77 GHz低噪声放大器,在65 nm CMOS中具有区域有效的RF-ESD保护
机译:具有ESD保护电路的3–10 GHz CMOS UWB低噪声放大器
机译:使用RF结变容二极管的24 GHz低噪声放大器,用于90 nm CMOS中的噪声优化和CDM ESD保护
机译:ESD保护与电源解耦10GHz低噪声放大器的影响
机译:低功耗低噪声CMOS放大器的一些设计技术,具有针对GHz频率无线应用的噪声优化。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:UltraLow-Power超宽带(5GHz-10GHz)低噪声放大器的设计在0.13μmCMOS技术中