GaN eHEMTs; Turn-on; Power loss model;
机译:预测常压GaN Hemts在常压下的开启过冲的分析模型
机译:桥腿配置的高压增强型GaN晶体管虚假导通评估的分析模型
机译:基于GaN的MHz临界传导模式功率因数校正电路的功率损耗模型
机译:650V GaN eHEMT的分析开启功率损耗模型
机译:分析建模 和加载 降压转换器 的 GaN基 点 的 发展 与 优化 反向传导 损耗
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:考虑动态导通态电阻的GaN基硬度切换半桥的功率损耗表征及建模
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。