Gunn diodes; III-V semiconductors; gallium compounds; radiation hardening (electronics); wide band gap semiconductors; GaN; Gunn diodes; fast neutron irradiation; gallium nitride structures; ionizing radiation; memory effect; parameter degradation; partial annealing; radiation resistance; semiconductor devices; subsequent irradiation; Lead; Microwave FET integrated circuits; Microwave integrated circuits; Radiation effects;
机译:ISIS散裂中子源在太空环境中使用的闪存的快速中子辐照测试
机译:W波段(75〜110 GHz)InP Gunn二极管不同有源区掺杂分布的理论研究
机译:快中子辐照石英结构的小角中子散射研究
机译:用于集成温度感测二极管的快速中子辐照的低功耗原位退火缓解技术
机译:快中子辐照硅正P-N-正N二极管电容特性的深陷阱模型的建立。
机译:快速中子辐照会降低成年小鼠海马相关的记忆能力
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机译:快中子辐照产生的alGaas二极管激光蓝移