annealing; chromium alloys; contact resistance; hydrogen; nickel alloys; ohmic contacts; semiconductor thin films; semiconductor-metal boundaries; silicon; NiCr-Si:H; annealing effect; contact interaction; electrically isolated thin films; elevated annealing temperatures; ohmic contact; specific contact resistance; temperature 100 degC to 400 degC; thin film; transfer length mode structures array;
机译:铟锡氧化物层与a-Si:H薄膜晶体管的Al(Ni)合金电极直接接触:镍合金化对界面氧化物生长和接触电阻的影响
机译:通过插入TiO 2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:通过氢等离子体处理与非晶IGZO薄膜的低电阻欧姆接触
机译:低温下NiCr合金与A-Si:H薄膜的相互作用和欧姆接触
机译:无序金属薄膜中的低温电子-声子相互作用及其在快速,灵敏的亚毫米光子源和检测器中的应用。
机译:通过插入TiO2中间层改善低温处理的金属/ n-Si欧姆接触的可弯曲单晶硅纳米膜薄膜晶体管
机译:用于低电阻率Al / Ti / Al欧姆接触的流量效应与N-ZnO薄膜