SRAM chips; cache storage; circuit stability; integrated circuit design; array-level 8T SRAM cell design; boundary searching method; high-speed SRAM cache; near-threshold supply voltage; sampling searching method; stability; systematic design methodology; variability tolerance improvement; yield-driven near-threshold SRAM design; Design methodology; Monte Carlo methods; Noise; SRAM cells; Threshold voltage; Transistors;
机译:良率驱动的近阈值SRAM设计
机译:隧穿SRAM单元的产量驱动设计
机译:具有读取缓冲器的22nm FinFET SRAM设计,用于近阈值电压操作
机译:用于良率驱动的近阈值SRAM设计的系统设计方法
机译:低功耗和工艺变化感知型SRAM和Cache在SRAM电路,架构和组织中的设计容错能力。
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:屈服驱动的近阈值sram设计
机译:新m.I.T.的建筑设计预算系统:系统设计方法论的应用。