CMOS integrated circuits; Computer architecture; Error correction codes; Magnetic tunneling; Microprocessors; Resistance; Transistors;
机译:基于ECC和非对称SRAM单元的TCAM的软错误保护
机译:基于并行-串行组合搜索方案的节能型2T-2MTJ非易失性TCAM设计
机译:基于低功耗混合忆阻器CMOS的二元逻辑非易失性SRAM单元的设计与分析
机译:基于晶体管/磁隧道结混合双轨字结构的紧凑型软容错异步TCAM
机译:在软错误恢复能力和性能约束下,根据每单位面积产量的最佳容错SRAM设计。
机译:基于垂直磁隧道结的非易失性可编程开关的设计和制造使用共享控制晶体管结构可将面积减少40%
机译:基于并行串行组合搜索方案的节能2T-2MTJ非易失性TCAM设计