CMOS integrated circuits; CMOS technology; Flip-flops; Latches; Nonvolatile memory; Reliability; Transistors;
机译:28NM FDSOI超低功率1.5-2.0 GHz因子-DLL频率合成器
机译:用于在过程变化存在下进行电阻短缺陷可检测性的分析模型:应用于28nm批量和FDSOI技术的应用
机译:在28nm FDSOI CMOS中配置SAR ADC的混合CDAC阈值
机译:基于OxRAM的脉冲锁存器,用于28nm FDSOI中的非易失性触发器
机译:单片集成 CMOS FDSOI 电子 - 性和空穴 量子点 量子比特 和 读出电子器件 的 大规模 量子 计算处理器
机译:使用MRAM-CMOS非易失性触发器的细粒度电源门控
机译:2.5μW0.0067mm2自动反向偏置补偿单元,在FDSOI 28nm泄漏下降50%,超过0.35至1VV