cross-correlation technique; cryogenic preamplifier; MESFET front-end;
机译:HEMT和MESFET在300至700 MHz之间的低温噪声性能
机译:通过使用单片工艺提高低温下GaAs MESFET的动态和1 / f噪声性能
机译:低温微波HEMT和MESFET振荡器中的相位噪声
机译:MESFET低温前端用于互相关噪声测量
机译:砷化镓MESFET电路设计中的噪声测量,模型和分析。
机译:用于使用超导探测器测量的低温低噪声放大器
机译:GaAs MESFET电路设计中的噪声测量,模型和分析
机译:用混合风洞中的压力互相关技术测量V / sTOL飞机噪声机制