Metals; Silicon; Photonic band gap; Field effect transistors; Optical mixing; Radiative recombination;
机译:调整直接带隙GeSn / Ge量子点的带间和带内有用发射波长:迈向CMOS兼容的红外光学器件
机译:Si衬底上中红外直接带隙发射的应变工程GeSn / GeSiSn量子点设计
机译:一维结构上具有Ge-GeSn层的锗的直接能带的发射
机译:迈向GeSn和GeC中的直接间隙发射:混合功能DFT分析
机译:通过密度泛函理论(DFT)计算分析磁性固体的性质
机译:Si衬底上中红外直接带隙发射的应变工程GeSn / GeSiSn量子点设计
机译:DFT + U,ACBN0和杂交功能对Ytio3和Srruo3的旋转密度的比较分析