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Analysis of Electronic Structural Change in a-InGaZnO by High Pressure Water Vapor Annealing

机译:高压水蒸气退火分析a-InGaZnO的电子结构变化

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摘要

The effect of high pressure vapor annealing (HPV) for a-IGZO was investigated by angle-resolved XPS. We found that In HPV enable to oxidize In atoms and reduce Ga atoms. It is considered that high channel mobility and stability attribute these reactions.
机译:通过角分辨XPS研究了高压气相退火(HPV)对a-IGZO的影响。我们发现In HPV能够氧化In原子并还原Ga原子。认为高通道迁移率和稳定性归因于这些反应。

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