【24h】

Low-leakage architecture for embedded ROM

机译:嵌入式ROM的低泄漏架构

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摘要

Register File (RF), Static Random Access Memory (SRAM) and Read Only Memory (ROM) arrays on SoCs comprise over 50% area and consumes substantial power on die. The On die ROM usage is increasing as there is an increased focus on IOTs, multi-core microprocessor for notebooks, 2-in-1s and mobile applications. Achieving high performance at low power specification need considerable innovation. Use of High Threshold Voltage (V) devices may not be the solution when targeting high performance designs. Further, as technology scales, leakage increases exponentially, which requires more aggressive low leakage power schemes.
机译:寄存器文件(RF),静态随机存取存储器(SRAM)和只读SOC上的存储器(ROM)阵列包括超过50%的区域,并消耗模具的大量电源。由于对IOTS,用于笔记本电脑的多核微处理器,2合1和移动应用程序的焦点增加,DIS ROM使用率越来越大。在低功耗规范下实现高性能需要相当大的创新。在瞄准高性能设计时,使用高阈值电压(V)器件可能不是解决方案。此外,随着技术尺度,泄漏呈指数增加,这需要更具侵略性的低漏电功率方案。

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