4H SiC; radiation damage; p(AI)-type; compensation; variability SIMS; PL; resistivity; annealing;
机译:检查两个具有相似电阻率但辐射损伤和退火特性差异很大的p型4H SiC样品
机译:4H SiC和金刚石的电子辐照产生近阈值损伤的取向依赖性和缺陷的向外迁移
机译:用光致发光光谱研究透射电子显微镜对4H和6H SiC的辐射损伤
机译:通过用170 keV或1 MeV电子辐照产生的n型和p型4H SiC外延层中的低温光致发光来测量缺陷中心的热历史
机译:波长调制吸收光谱和低温光致发光研究4H SiC中自由激子的能级结构
机译:氧化损伤对使用国内高尼克隆型SiC纤维的SiC / SiC复合材料力学性能的影响
机译:通过800 K在6H,p型SiC和高纯度半绝缘4H SiC上的共面波导的实测衰减