Study of GaAs(Ti) thin films as candidates for IB solar cells manufacturing

机译：GaAs（Ti）薄膜作为IB太阳能电池制造候选材料的研究

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Thin films of GaAs(Ti) have been deposited by sputtering on glass and n_GaAs substrates under different process conditions. Optical characteristics of these samples have been analyzed to study the potential of this material in intermediate Band solar cell manufacturing.

机译：通过溅射在不同工艺条件下在玻璃和n_GaAs衬底上沉积了GaAs（Ti）薄膜。分析了这些样品的光学特性，以研究这种材料在中频太阳能电池制造中的潜力。

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来源
《35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference》|2010年|p.001210-001212|共3页
会议地点
作者
Silvestre S.; Boronat A.; Castaner L.; Fuertes Marron D.; Marti A.; Luque A.;
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正文语种
中图分类光电子技术、激光技术;
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