机译:在纳米硅Ge衬底上的Ge-on-Si衬底上使用Ni-Pt(1%)合金改善Ni锗化物的热稳定性
机译:通过降低肖特基势垒高度来改善具有应变硅沟道的肖特基势垒源极/漏极MOSFET的可驱动性
机译:锗化诱导的掺杂物离析技术调制镍锗化物肖特基二极管的肖特基势垒高度
机译:利用Ge-Si衬底利用Ni-Pt(1%)合金的Niemeride的热稳定性和降低肖特基势垒高度的改进
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:N型锗基材的NI-,PD-和PT-Medged Schottky屏障中的点缺陷产生