机译:具有80 GHz SiGe HBT技术的高输出功率的33–43 GHz和66–86 GHz VCO
机译:在45nm CMOS SOI中具有23dBm输出功率和60dB动态范围的1.1Gbit / s 10GHz异相调制器
机译:具有50Ω输出的完全集成的5.3GHz 2.4V 0.3W SiGe双极功率放大器
机译:采用50 GHz f / sub t / SiGe技术的高动态范围,高输出功率I / Q调制器
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:具有2.4Ghz时钟速率的100Mhz带宽80dB动态范围连续时间Δ-Σ调制器
机译:宽带20至28GHz信号发生器mmIC,输出功率为30.8dBm,基于功率放大器单元,siGe为31%paE
机译:Laddertron振荡器用于50 Ghz范围。 Laddertron-Oszillator fuer den 50-Ghz-Bereich