indium compounds; gallium arsenide; semiconductor quantum dots; III-V semiconductors; infrared detectors; photodetectors; semiconductor devices; multispectral operation; quantum dot photodetectors; InGaAs quantum dot; infrared photodetectors; infrared sensor applications; peak responsivity; peak detectivity; multispectral sensors; infrared sensors; 77 K; InGaAs;
机译:量子点红外光电探测器的三种设计架构的比较:InGaAs封闭的点,阱中的点和亚单层量子点
机译:峰值检测波长为11.7μm的InAs–InGaAs量子点红外光电探测器的低偏置高温工作
机译:自组装InGaAs量子点红外光电探测器的多光谱操作
机译:InGaAS量子点红外光电探测器和红外传感器应用的多光谱操作
机译:新型多色量子阱红外光电探测器和高级量子点红外光电探测器的研究。
机译:量子点的形状和应变分布对量子点红外光电探测器光学跃迁的影响
机译:红外光电探测器量子阱多层结构中InAs / InGaAs / GaAs量子点的光学性质研究
机译:用于高性能多光谱红外光电探测器的自组织量子点。