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【24h】

12-micron infrared generation by difference frequency mixing in diffusion-bonded-stacked GaAs

机译:扩散键合堆叠砷化镓中不同频率混合产生的12微米红外光

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摘要

Low optical loss 24 to 36-layer diffusion-bonded-stacked (DBS) GaAs was fabricated for quasi-phasematched nonlinear optical interactions. Mid-infrared radiation in the 10.5 to 12 micron region was generated by frequency mixing idlers from two electronically synchronized Nd:YVO_4 pumped PPLN OPOs in DBS GaAs.
机译:制造低光损耗的24至36层扩散键合堆叠(DBS)GaAs,用于准相位匹配的非线性光学相互作用。 DBS GaAs中两个电子同步泵浦的Nd:YVO_4泵浦的PPLN OPO通过对惰轮进行频率混合来产生10.5至12微米区域的中红外辐射。

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