【24h】

High Power Vertical Cavity Laser Diodes

机译:大功率垂直腔激光二极管

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摘要

We have fabricated proton-implanted InGaAs/GaAs quantum well vertical cavity surface emitting laser diodes with active diameters between 10 and 95 ¿m. Minimum threshold currents of 1.4 mA for 10 ¿m devices and 20 mW cw output power for 95 ¿m devices solder bonded on laser submounts are measured.
机译:我们已经制造了质子注入的InGaAs / GaAs量子阱垂直腔表面发射激光二极管,其有源直径在10到95μm之间。测量了焊接在激光底座上的10μm器件的最小阈值电流1.4 mA和95μm器件的20 mW cw输出功率。

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