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【24h】

0.25 ÃÂÃÂ¿mCMOS with N2O nitrided gate oxides

机译：带有N 2 O氮化的栅氧化物的0.25μmmCMOS

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《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》|1993年|399-402|共4页
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作者
Pomp H.G.; Lifka H.; Paulzen G.; Montree A.H.; Woerlee P.H.; Woltjer R.;
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正文语种
中图分类非金属材料;
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