A High Density Multi-Bit/Analog DRAM Cell

机译：高密度多位/模拟DRAM单元

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A new two-transistor memory cell concept for 16-Mbit DRAM and beyond is described. This cell offers the advantages of small cell size, non-destructive and fast operation of reading with a built-in amplifier, and the capability of storing multiple-valued or analog information.

机译：描述了一种用于16 Mbit DRAM及更高版本的新型两晶体管存储单元概念。该单元具有以下优点：单元尺寸小，内置放大器的读取操作无损且快速，并且具有存储多值或模拟信息的能力。

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来源
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》|1993年|377-380|共4页
会议地点
作者
Kim Wonchan; Kih Joongsik; Kim Gyudong; Jung Sanghun; Ahn Gijung; Oh Kye Hwan;
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原文格式 PDF
正文语种
中图分类非金属材料;
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