机译:使用130 nm变形HEMT的18 GHz宽带堆叠式FET功率放大器
机译:采用0.3 / spl mu / m AlGaAs / GaAs / AlGaAs HEMT技术的25 GHz增益的17 GHz宽带放大器
机译:使用130 nm变形HEMT的60 GHz宽带堆叠式FET功率放大器
机译:使用AlGaAs / InGaAs P-HEMT和GaAs MESFET的18-40 GHz半单片平衡级联放大器
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:宽带Gaas mEsFET和GaN HEmT电阻反馈功率放大器
机译:22 GHz同轴低噪声mEsFET和HEmT放大器的设计与性能