Getting Closer to True CMOS-Circuits in a 4 M-DRAM

机译：在4 M-DRAM中更接近真实的CMOS电路

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NMOS-type circuits in different areas of CMOS-DRAMs are discussed and new concepts using true CMOS circuitry are presented. The second part of the paper describes a 4 Megabit DRAM, which utilizes some of the new concepts. It was fabricated in a submicron, triple poly single metal CMOS technology with a trench capacitor and a Fully Overlapping BItline Contact (FOBIC). RAS access times of 70 ns are achieved with a power consumption of 350 mW (5mW standby).

机译：讨论了CMOS-DRAM不同区域中的NMOS型电路，并提出了使用真正CMOS电路的新概念。本文的第二部分描述了一个4兆位DRAM，它利用了一些新概念。它采用亚微米三重单金属CMOS技术制造，具有沟槽电容器和完全重叠的BItline触点（FOBIC）。 350毫瓦的功耗（待机5毫瓦）可实现70 ns的RAS访问时间。

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来源
《Solid-state Circuits Conference, 1987. ESSCIRC '87》|1987年|65-68|共4页
会议地点
作者
Pribyl W.; Bahring M.; Sommer D.; Smith S.;
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作者单位

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正文语种
中图分类电子电路;
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