机译:用于SDR接收器的0.07-3 GHz宽带前端,具有2.3 dB NF和12 dBm IIP3,在65 nm CMOS中
机译:使用Au / WSiN GaAs MESFET的10 GHz带宽20 dB增益低噪声直耦合放大器IC
机译:半微米栅长离子注入GaAs MESFET,16 GHz时噪声系数为0.8 dB
机译:14.7自适应模拟温度愈合低功耗17.7至19.2GHz RX前端,具有±0.005dB /°C增益变化,<1.6dB NF变化,以及<2.2DB IP1DB跨-15至85°C的变化相位阵列接收器
机译:使用FT = 22.9GHz Gaas mEsFET的8GHz以上静态T触发器操作