MOVPE; compound semiconductor; multijunction photovoltaic cells;
机译:III-V型多结太阳能电池超高浓度(1000-5000太阳)的半导体结构的限制因素
机译:通过快速辐照/热循环加速高浓度III-V多结太阳能电池老化测试的新方法
机译:III-V / GE成核例序对高效多结太阳能电池性能的影响
机译:III-V多结太阳能电池浓度约为1000倍:IES-UPM策略
机译:Si衬底上III-V多结太阳能电池的异质集成:电池设计与建模,外延生长与制造。
机译:Shockley-Queisser三角形可预测任意复杂的多结双面太阳能电池的热力学效率极限
机译:基于数值模拟的Si-多结太阳能电池III-V背面处理策略评估
机译:在图案化的si和Ge衬底上优化的III-V多结集中器太阳能电池。最终技术报告,2004年9月15日至2006年9月30日