II-VI semiconductors; X-ray absorption; ageing; cadmium compounds; copper; diffusion; fine structure; grain boundaries; oxidation; passivation; semiconductor thin films; vacuum deposited coatings; vacuum deposition; 2 mum; 4 nm; Advanced Photon Source; Argonne National;
机译:L边缘X射线吸收精细结构研究铜上沉积的超薄镍膜的生长和形貌
机译:HgCdTe中砷的扩展x射线吸收精细结构研究:p型掺杂与非取代As掺入未知的AsHg_8结构有关
机译:Hf-O-N薄膜的局部结构和电子结构:x射线吸收精细结构研究和第一性原理计算
机译:X射线吸收细结构研究CDTE薄膜氧化铜的老化行为
机译:超薄镍硅化物膜的X射线吸收细结构研究
机译:扩展的X射线吸收精细结构表征氧化的天青蛋白中的蓝铜位:短Cu-S距离的测定
机译:si(111)上外延混合三元方铁锰矿prxY2-xO3(x = 0-2)薄膜的X射线衍射和扩展X射线吸收精细结构研究
机译:聚(3-甲基噻吩)薄膜在platinium上的取向行为:FTIR和近边X射线吸收精细结构(NEXaFs)研究。