4H-SiC MOSFETs; Coulomb scattering mobility model; interface traps; 4H-SiC MOSFETs; Coulomb scattering mobility model; interface traps;
机译:具有大密度界面状态的MOS反转层中载波散射的建模及4H-SIC MOSFET中的电子霍尔迁移率模拟
机译:准二维深度相关的迁移率模型,适用于由于界面俘获电荷而引起的库仑散射的器件仿真
机译:一种用于提取MOSFET器件中界面陷阱和有效氧化物陷阱电荷密度的横向分布的新型电荷泵方法
机译:使用第一原理库仑散射迁移率模型进行4H-SiC MOSFET器件仿真
机译:使用第一原理库仑散射迁移率建模和器件仿真来表征4H碳化硅MOSFET。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:MOSFET器件中SiO2 / 4H-SiC接口的原子尺度表征
机译:辐照mOsFET中固定和界面陷阱电荷分离的亚阈值技术