III-V semiconductors; gallium arsenide; indium compounds; optical isolators; optical waveguide components; semiconductor device measurement; semiconductor optical amplifiers; 1550 nm; InGaAsP-InP; InGaAsP/InP active waveguide optical isolator; SOA; TE mode isolatio;
机译:具有14.7 dB / mm TE模式不可逆衰减的InGaAsP / InP有源波导光隔离器的制作和表征
机译:用于可集成光隔离器的InGaAsP / InP有源波导中TE模式不可逆传播的首次演示
机译:InGaAsP / InP van逝模波导光隔离器及其在InGaAsP / InP / Si混合e逝光隔离器中的应用
机译:14.7 DB / MM TE模式在INGAASP / INP有源波导光隔离器中的非蓄能传播
机译:被动锁模InGaAsP / InP半导体激光器的高工作温度
机译:用于1.55-μm电信频段的单光子源的InGaAsP / InP纳米腔
机译:放大alGaInas / Inp光波导隔离器中的横向磁模非互易传播。